Кафедра физики полупроводников физического факультета Национального исследовательского Томского государственного университета объявляет набор в магистратуру и аспирантуру |
Программа обучения | Физика полупроводников. Микроэлектроника (магистратура, срок обучения 2 года); Нанотехнологии в электронике (магистратура, срок обучения 2 года); Физика полупроводников (аспирантура, срок обучения 3 года). |
Возможности для научной работы |
Научные исследования на кафедре проводятся при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, Министерства образования и науки РФ, а также в рамках контрактов с другими организациями. Основными направлениями исследований кафедры в настоящее время являются Квантовая теория полупроводниковых материалов Получение сложных полупроводниковых структур методами молекулярно-пучковой и МОС-гидридной эпитаксии Экспериментальные исследования структуры и свойств полупроводниковых материалов Создание новых полупроводниковых материалов для светодиодной техники Теория и компьютерное моделирование процессов формирования полупроводниковых наноструктур |
На кафедре работают | 5 кандидатов и 4 доктора физико-математических наук. Почетными профессорами кафедры являются лауреат Нобелевской премии, вице-президент Российской академии наук, академик Ж.И. Алферов и вице-президент Российской академии наук, председатель Сибирского отделения РАН, академик А.Л. Асеев. |
С кем мы сотрудничаем |
Сибирский физико-технический институт им. В.Д.Кузнецова (Томск); ОАО Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов (Томск); Институт физики полупроводников СО РАН (Новосибирск); Физико-технический институт им. Иоффе (Санкт Петербург); Санкт-Петербургский академический университет (Санкт Петербург); ООО «Лаборатория оптических кристаллов» (Томск); ООО Сигм-Плюс (Москва). |
Международное сотрудничество | Исследовательский центр Юлих (Германия); Институт Фритца Габера общества Макса Планка (Германия); Университет Тохоку (Япония). |
Финансовая помощь | Всем магистрантам и аспирантам кафедры физики полупроводников выплачивается ежемесячная стипендия. Все аспиранты кафедры, а также наиболее квалифицированные магистранты привлекаются к выполнению текущих грантов и хоздоговорных работ и могут рассчитывать на дополнительную финансовую поддержку. |
Перспективы трудоустройства |
Выпускники кафедры получают подготовку, достаточную для самостоятельной работы в области практического использования полупроводников в медицине, связи, солнечной энергетике, микро- и наноэлектронике, а также для самостоятельной научной работы в области физики и материаловедения полупроводников, компьютерного моделирования физических и технологических процессов, необходимых для разработки новых материалов, приборов и устройств. Выпускники кафедры работают в ведущих исследовательских институтах и высших учебных заведениях России, ближнего и дальнего зарубежья, на предприятиях ОАО “Росэлектроника”, на малых инновационных предприятиях полупроводникового профиля |
Контактная информация | 634050, г. Томск, пл. Новособорная, 1 гл. корпус СФТИ, к.126. http://www.phys.tsu.ru/~semicon.html email: akser@phys.tsu.ru тел: (3822)52-96-37 |
.