Магистратура и аспирантура

Кафедра физики полупроводников
физического факультета 
Национального исследовательского Томского государственного университета 
объявляет набор в магистратуру и аспирантуру
Программа обучения  Физика полупроводников. Микроэлектроника (магистратура, срок обучения 2 года);
 Нанотехнологии в электронике (магистратура, срок обучения 2 года);
 Физика полупроводников (аспирантура, срок обучения 3 года).
Возможности
для научной работы
Научные исследования на кафедре проводятся при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, Министерства образования и науки РФ, а также в рамках контрактов с другими организациями. Основными направлениями исследований кафедры в настоящее время являются
 Квантовая теория полупроводниковых материалов
 Получение сложных полупроводниковых структур методами молекулярно-пучковой и МОС-гидридной эпитаксии
 Экспериментальные исследования структуры и свойств полупроводниковых материалов
 Создание новых полупроводниковых материалов для светодиодной техники
 Теория и компьютерное моделирование процессов формирования полупроводниковых наноструктур
На кафедре работают 5 кандидатов и 4 доктора физико-математических наук. Почетными профессорами кафедры являются лауреат Нобелевской премии, вице-президент Российской академии наук, академик Ж.И. Алферов и вице-президент Российской академии наук, председатель Сибирского отделения РАН, академик А.Л. Асеев.
С кем мы
сотрудничаем
 Сибирский физико-технический институт им. В.Д.Кузнецова (Томск);
 ОАО Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов (Томск);
 Институт физики полупроводников СО РАН (Новосибирск);
 Физико-технический институт им. Иоффе (Санкт Петербург);
 Санкт-Петербургский академический университет (Санкт Петербург);
 ООО «Лаборатория оптических кристаллов» (Томск);
 ООО Сигм-Плюс (Москва).
Международное сотрудничество  Исследовательский центр Юлих (Германия);
 Институт Фритца Габера общества Макса Планка (Германия);
 Университет Тохоку (Япония).
Финансовая помощь Всем магистрантам и аспирантам кафедры физики полупроводников выплачивается ежемесячная стипендия. Все аспиранты кафедры, а также наиболее квалифицированные магистранты привлекаются к выполнению текущих грантов и хоздоговорных работ и могут рассчитывать на дополнительную финансовую поддержку.
Перспективы
трудоустройства
Выпускники кафедры получают подготовку, достаточную для самостоятельной работы в области практического использования полупроводников в медицине, связи, солнечной энергетике, микро- и наноэлектронике, а также для самостоятельной научной работы в области физики и материаловедения полупроводников, компьютерного моделирования физических и технологических процессов, необходимых для разработки новых материалов, приборов и устройств. Выпускники кафедры работают в ведущих исследовательских институтах и высших учебных заведениях России, ближнего и дальнего зарубежья, на предприятиях ОАО “Росэлектроника”, на малых инновационных предприятиях полупроводникового профиля
Контактная информация 634050, г. Томск, пл. Новособорная, 1
гл. корпус СФТИ, к.126.
http://www.phys.tsu.ru/~semicon.html
email: akser@phys.tsu.ru
тел: (3822)52-96-37







.