Ученые ТГУ совместно с индустриальным партнером АО НПФ «Микран» создают технологию промышленного производства тонкопленочных полупроводниковых гетероструктур для изделий гражданского, оборонного и космического назначения. В частности, разрабатываются мощные транзисторы с высокой подвижностью электронов (High Electron Mobility Transistor – HEMT) для осуществления сотовой, спутниковой и радиосвязи на высоких частотах. Проект поддержан технологическими платформами «Национальная информационная спутниковая система» и «Национальная космическая технологическая платформа».
Подробнее
Подробнее